交流Buck—Boost電路的分析與研究.pdf

1、該文著重研究了Buck-boost電路在交流應(yīng)用中的一些特性.首先,對(duì)Buck-boost電路進(jìn)行了嚴(yán)謹(jǐn)?shù)乩碚撏茖?dǎo),先對(duì)Buck-boost電路在輸入為直流電壓時(shí)的工作情況進(jìn)行了分析;在此基礎(chǔ)上,對(duì)輸入為工頻交流電壓時(shí)的電感電流、輸出電壓作了詳細(xì)分析,利用等間距離散化方法、引入函數(shù)法、微分方程法分別對(duì)變量進(jìn)行了推導(dǎo)和總結(jié),為下一步工作奠定了理論基礎(chǔ).高頻開(kāi)關(guān)下的Buck-boost電路中各個(gè)變量的動(dòng)態(tài)變化如何,其變化規(guī)律是否與理論上的推

2、導(dǎo)一致.該文利用MATLAB中的M文件和Simulink工具對(duì)Buck-boost電路系統(tǒng)進(jìn)行了動(dòng)態(tài)仿真,改變系統(tǒng)中的各個(gè)參變量,觀察并對(duì)比其動(dòng)態(tài)變化規(guī)律,文中給出了大量的仿真圖形,驗(yàn)證了理論分析的正確性.高頻開(kāi)關(guān)技術(shù)是當(dāng)今電力電子技術(shù)發(fā)展的方向,該文研究的Buck-boost斬波系統(tǒng)中采用了高頻功率器件,所以該文對(duì)新型開(kāi)關(guān)器件——功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管[MOSFET]和絕緣門(mén)極晶體管[IGBT]的特性進(jìn)行了初步研究.探討了用IGBT和MO