砷化鎵基半導(dǎo)體材料抗輻照噪聲表征參量研究.pdf

1、砷化鎵作為第二代半導(dǎo)體材料的代表，在高能對(duì)撞物理實(shí)驗(yàn)、航天科技和核放射性廢料檢測(cè)等輻照環(huán)境下有著重要的應(yīng)用。為此，對(duì)砷化鎵材料的輻照效應(yīng)及其抗輻照能力進(jìn)行研究是很有意義的。但目前我國(guó)還未見有一種簡(jiǎn)單、快速且完全非破壞性的技術(shù)來對(duì)其抗輻射能力進(jìn)行評(píng)估。低頻噪聲在表征硅器件的輻照損傷時(shí)取得了極大的成功，而且它的技術(shù)特點(diǎn)也符合對(duì)砷化鎵材料輻照損傷進(jìn)行表征的技術(shù)要求。 本文采用傳統(tǒng)的電學(xué)參數(shù)測(cè)量技術(shù)和低頻噪聲技術(shù)，對(duì)砷化鎵材料的低劑量伽

2、瑪輻照效應(yīng)進(jìn)行了研究。通過傳統(tǒng)電學(xué)參數(shù)和低頻噪聲表征參量的對(duì)比，結(jié)果發(fā)現(xiàn)輻照后噪聲表征參量的退化比電學(xué)參數(shù)的退化高了一個(gè)數(shù)量級(jí)。這說明了在表征砷化鎵材料抗輻照能力方面，低頻噪聲參量比傳統(tǒng)電學(xué)參數(shù)更加的靈敏。 本論文的主要工作和結(jié)論有： (1) 詳細(xì)研究了砷化鎵材料輻照損傷的微觀機(jī)制，提出了低劑量伽瑪輻照對(duì)砷化鎵材料的影響主要是使其中的缺陷帶電狀態(tài)發(fā)生改變的觀點(diǎn)。 (2) 分析了傳統(tǒng)電學(xué)參量和低頻噪聲參量對(duì)輻照的響