面向片上存儲應(yīng)用的高性能抗輻射糾錯碼編碼機(jī)制的研究與實(shí)現(xiàn).pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在一個典型的片上系統(tǒng)中，存儲器上發(fā)生錯誤的幾率最高，提高片內(nèi)存儲器的可靠性是提高片上系統(tǒng)可靠性的一個關(guān)注焦點(diǎn)。 輻射效應(yīng)是引起片內(nèi)存儲器發(fā)生錯誤的主要原因，隨著存儲單元間隔的逐步減小，由SEU(Single Event Upset) 引起的SEMU(Single Event Multiple Upset)特別是SMU(Single Word Multiple-bit Upsets)對存儲器的可靠性進(jìn)而對整個片內(nèi)系統(tǒng)的可靠性的影響

2、越來越大。糾錯碼技術(shù)是對存儲器進(jìn)行抗輻射保護(hù)的有效方法，而現(xiàn)有的糾錯碼不能糾正SMU，本課題的目標(biāo)是尋求一種高性能的糾錯機(jī)制來解決這一問題。 本課題中實(shí)現(xiàn)的符號糾錯碼是針對片內(nèi)存儲器中SMU的糾錯算法。它將伽羅華域的運(yùn)算與正常的數(shù)學(xué)運(yùn)算結(jié)合起來，可以糾正1個符號（4個比特）或檢測2個符號（8個比特）的錯誤。與現(xiàn)有的ECC技術(shù)相比，它的糾錯能力有了非常顯著的提高；另一方面，它的編解碼運(yùn)算沒有在關(guān)鍵路徑上引起較多的延遲，因此符號糾錯

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