用于嵌入式電容器的介電納米鋁-鈦酸鋇-環(huán)氧樹脂三相復(fù)合材料.pdf

1、隨著電子器件和設(shè)備向著小型化、多功能化的方向發(fā)展，電子封裝技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入高密度的系統(tǒng)級(jí)封裝發(fā)展階段。系統(tǒng)級(jí)封裝要求把包括電容、電感、電阻在內(nèi)的無源器件內(nèi)埋到有機(jī)基板內(nèi)部，以節(jié)省線路板空間，提高電學(xué)性能，降低成本，更多的選擇設(shè)計(jì)。電容在所有無源器件中所占比例高達(dá)60％。系統(tǒng)級(jí)封裝要求埋入式電容具有高的介電常數(shù)、低損耗、高的耐擊穿電壓以及易加工的特點(diǎn)。因此，與有機(jī)基板工藝兼容的電介質(zhì)材料及埋入式電容的研發(fā)，是實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)電子封裝的關(guān)鍵。

2、　　本課題的研究目的旨在開發(fā)具有高介電常數(shù)、高的耐擊穿電壓、低損耗、易加工的復(fù)合電介質(zhì)材料。以便制作出輕、薄、小的埋入式電容，并實(shí)現(xiàn)其在系統(tǒng)級(jí)封裝中的應(yīng)用。采用的方法就是結(jié)合環(huán)氧樹脂和填料的各自優(yōu)點(diǎn)來滿足嵌入式電容的制備、介電性能以及機(jī)械性能。因?yàn)樵诟叩奶畛淞康臈l件下，電容的結(jié)合力和熱可靠性都較差，因此目前的電容密度一般較低。本研究中，利用偶聯(lián)劑對(duì)鈦酸鋇BaTiO3粉末進(jìn)行處理，并在銅箔上涂布、熱壓制得埋入式電容器，當(dāng)BaTiO3填充量

3、為40vol.%時(shí)，薄膜電容的電容密度可達(dá)8.86pF/mm2，仍然表現(xiàn)出較好的結(jié)合力（0.92kN/m），并且通過了在150℃高溫老化測(cè)試、260℃回流測(cè)試,60℃/60RH%高溫高濕測(cè)試。為了得到可重復(fù)高介電常數(shù)低損耗的介電材料，基于滲流理論，一種自氧化核殼結(jié)構(gòu)金屬納米鋁粉用于制備介電復(fù)合材料。結(jié)合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，系統(tǒng)地分析和解釋了Al的大小、Al2O3殼的厚度以及兩界面聚合物-Al2O3和Al2O3-Al對(duì)對(duì)應(yīng)滲流復(fù)合材料的介電性能的影