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1、大連理工大學(xué)碩士學(xué)位論文Li和Mn摻雜ZnO壓電薄膜的制備及性能研究姓名:陳文申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師:王兢20051201陳文:Li和Mn摻雜ZnO壓電薄膜的制備及性能研究PreparationandstudyofLiorMndopedZnOpiezoelectricthinfilmsAbstractZincOxide(ZnO)isaclassic11一VIsemiconductormaterialwith
2、awidedirectband—gapof33eVatroomtemperatureIthasbeenextensivelyappliedinpiezoelectricityconversionsolarcellgassensorUVdetectorlightingdisplayerintegrateddeviceetcforitsexcellentphysicalpropertiesInthisthesis,thepreparatio
3、nandcharacteristicofZnOthinfilmswithandwithoutdopingforpiezoelectricsensorwereinvestigatedInthiswork,ZnOpiezoelectricthinfilmswerepreparedbysol—gelmethodonPt/Ti/Si02/SisubstratesDopantsourcewereLiCl,Li2COsandMn(CHsCOO)2,
4、repetitivelyXraydiffraction(XRD),Atomforcemicroscopy(AFM),X—rayphotoelectronspectroscopyⅨPS)andCurrent—Voltage(I—V)wereadoptedtocharacterizeZnOthinfilmsItwasrevealedthatcorientationofundopedfilmswasaffectedbybothdryingan
5、dannealingtemperatures,andthelatterwasmoreremarkableTheresistivityofZnOthinfilmsafterdopingLiandMn”wasrapidlyincreasedDopingofLiECOsdecreasedtheannealingtemperatureforformingCaxisorientationfrom6000Cto550。C,comparedwithu
6、ndopedandLiCI—dopedZnOthinfilmsCo—dopedZnOthinfilmspossessedpreferredcaxisorientation,goodstoichiometryratioandquitehighresistivitywhenannealedatboth600。Cand5500Cnleannealingtemperaturerangeofpreferredcaxisorientationwas
7、muchwiderforMn—dopedZnOthinfilmsTheinfluenceofthetechnicalparametersuchasdopingconcentrationandannealingtemperatureontheCaxisorientation,morphologystoichiometryandresistivityofZnOthinfihnswerethoroughlydiscussedthroughun
8、dopedLi一dopedandMn2dopedZnOthinfilmsiDthisthesisTheperformanceofZnOthinfilmsabminedinthisworkCanbasicallymeettherequirementforpiezoelectricsensorThecharacteristicofZnOpiezoelectricfilmswasimprovedbydopingandthereasonfori
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