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文檔簡介
1、本文主要研究了InGaAsSb半導(dǎo)體激光器的歐姆接觸特性。在對課題的研究背景、國內(nèi)外發(fā)展?fàn)顩r進行簡單的介紹的基礎(chǔ)上，闡述了半導(dǎo)體激光器系統(tǒng)和Ⅲ-Ⅴ族材料的性質(zhì)，并詳述了InGaAsSb半導(dǎo)體激光器的主要用途、優(yōu)勢以及目前的研究進展。分析了金屬與半導(dǎo)體整流接觸及歐姆接觸的相關(guān)原理，設(shè)計了一種GaSb基半導(dǎo)體材料歐姆接觸的金屬化結(jié)構(gòu)。論文詳細(xì)討論了n型GaSb的歐姆接觸形成機理，以及形成歐姆接觸的過程中遇到的元素原子間互擴散所引起的可靠性問
2、題，提出在勢壘層和接觸層中加入擴散阻擋層，并用掃描隧道顯微鏡和X射線能譜儀對擴散阻擋效果進行了測試和分析。
在實驗方面，分別對擴散阻擋層厚度、退火溫度對歐姆接觸影響進行了實驗，研究了樣品金屬化后樣品表面形態(tài)及各層原子間的擴散情況，重點分析了擴散阻擋層Mo對樣品表面形態(tài)變化及各層元素原子間擴散影響。
在以上的工作中，我們初步看到，擴散阻擋層的添加，對歐姆接觸有著一定的改善作用。本項研究為提高InGaAsSb半導(dǎo)體激光器
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