氧化物介質(zhì)多層膜的生長(zhǎng)與電學(xué)性能的研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩48頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、本文介紹了利用脈沖激光分子束外延技術(shù)(L-MBE)生長(zhǎng)LaAlO<,3>/BaTiO<,3>(LAO/BTO)超晶格薄膜,并首次發(fā)現(xiàn)其具有比相同工藝條件下生長(zhǎng)的SrTiO3/BaTiO3更優(yōu)良的電學(xué)性能,其介電損耗比SrTiO<,3>/BaTiO<,3>超晶格薄膜至少小一個(gè)數(shù)量級(jí).更重要的是LAO/BTO超晶格薄膜具有明顯的鐵電性能,其2Pr可達(dá)到25 μc/cm2.由于超晶格薄膜的性能決定于生長(zhǎng)和結(jié)構(gòu),因此,在薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中,我們首先

2、利用高能電子衍射技術(shù)(RHEED)對(duì)LAO/BTO超晶格薄膜的生長(zhǎng)進(jìn)行研究,然后再利用X射線衍射技術(shù)對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析.在成功生長(zhǎng)出高質(zhì)量外延LAO/BTO超晶格薄膜的基礎(chǔ)上,我們對(duì)LAO/BTO超晶格薄膜鐵電性能的可控性進(jìn)行了研究.最后,我們通過(guò)改變LAO/BTO超晶格薄膜的結(jié)構(gòu)對(duì)稱性,發(fā)現(xiàn)在一定BTO層厚度的條件下,增加LAO層的厚度,超晶格薄膜的鐵電性能開(kāi)始逐漸增加,這進(jìn)一步說(shuō)明了在鐵電超晶格薄膜中界面應(yīng)力對(duì)超晶格薄膜電學(xué)性能具有重

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論