半導(dǎo)體THz輻射的動力學(xué)研究及Monte Carlo模擬.pdf

1、該文首先介紹了半導(dǎo)體表面輻射THz脈沖的基本理論,然后用數(shù)值計(jì)算和Monte Carlo方法研究了以GaAs和低溫生長GaAs(LT-GaAs)為襯底的大孔徑光電導(dǎo)天線的THz脈沖時域波形,著重分析了這兩種半導(dǎo)體在超短脈沖激光作用下THz輻射的動力學(xué)過程.該文主要由兩部分組成:第一部分:我們利用電磁學(xué)理論、通過唯象的方法引入半導(dǎo)體載流子輸運(yùn)過程,分析了LT-GaAs和GaAs大孔徑光電導(dǎo)(Large-Aperture Photocond

2、uctive)天線在近場和遠(yuǎn)場的THz輻射與光導(dǎo)體的材料性質(zhì)和激發(fā)條件的依賴關(guān)系,成功的解釋了LT-GaAs時域THz波形的雙極特性.第二部分:采用系綜Monte Carlo方法,通過模擬GaAs大孔徑光電導(dǎo)天線在超短脈沖激光作用下光生載流子的輸運(yùn)過程,我們?nèi)娣治隽艘訥aAs為襯底的大孔徑光電導(dǎo)天線在外加強(qiáng)電場和強(qiáng)激光場作用下的表面局域電場(local field)的時空變化規(guī)律、及相應(yīng)的THz輻射的動力學(xué)過程,通過與文獻(xiàn)中已有的實(shí)驗(yàn)