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1、天津大學(xué)碩士學(xué)位論文寬禁帶SiC材料中雜質(zhì)的分析研究姓名:王奕申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專(zhuān)業(yè):電子與通信工程指導(dǎo)教師:姚素英何秀坤20081001ABSTRACTSiCcrystalisregardedasthe—thirderasemiconductoraswellaswide—bandgapsemiconductororhightemperaturesemiconductorSiCattractsmuchattentionincurrent
2、semiconductorresearchSiCisanewlyemergingmaterialforhightemperature,highpower,andhighfrequencydeviceapplicationsThatisveryimportanttoaccuratelydetermineimpuritiesofSiCbecausethatwewantnotonlyhighpuritySiCcrystalbutalsolig
3、htdopingorheavydopingSiCInthisthesis,aseriesofmodernchemicalanalyticaltechniqueswereusedtostudytheimpuritiesinSiCcrystalandSiCpowderTheimpuritiesonthesurfaceofSiCpowderwerestudied,tooTheuncertaintyinanalyticalmeasurement
4、wasevaluatedinthisthesisFollowingsignificantresultswereobtained:1AmeasurementmethodforaccuratelydeterminingtheimpuritiesinSiCcrystalandSiCpowderandtheimpuritiesonthesurfaceofSiCpowderbymeltedICPmethodsandthemixacidsextra
5、ction_ICPmethod2Waterextraction—ICmethodwasfirstlyusedtodeterminetheanionsonthesurfaceofSiCpowderWeknowthattherearefewanionsonthesurfaceofSiCpowderespeciallythehalides3Theuncertaintyinanalyticalmeasurementwasevaluatedint
6、histhesisByusingExcel,thecalculationbecamemoreeasilyTheresultsofevaluationareveryimportanttoimproveanalyticalmethodsThisstudyisapartofthestudyofmyinstituteTheresultsofthisstudyisveryusefultotheprocuctionofSiCcrystalKEYWO
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