2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)碩士學(xué)位論文寬禁帶半導(dǎo)體SiC、ZnO紫外光電器件的研究姓名：王麗玉申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：謝家純20031101!竺塑蘭!!旦!墮蘭!蘭絲查叁蘭堡!：堡苧AbstractComparedwithSiandGaAswhicharetraditionalsemiconductormaterials，thethirdgenerationWideBandGapsemiconductormateri

2、als(SiC，ZnO，etc)havebetteroptical，electricalandthermalpropertiesTherefore，theybecomepreferredsemiconductormaterialsforpreparationofdevicesinhightemperature，highfrequencyhighvoltageandhighpowerconditionsThisthesisismainly

3、aboutourstudiesofSiC，ZnOUV(ultraviolet)photoelectricdevicesThisthesisisdividedintofivechaptersanditsmaincontentsincludefourchapterswhichareintroducedinbriefasthefollowingInChapterTwoandChapterFourasurveyofphysicalandchem

4、icalproperties，thepreparationofmaterialsandtheprogressofdevicesofbothSiCandZnOisgivenInChapterThree，theexpatiationofourstudiesaboutSiCUVphotoelectricdevicesandthemeasurementofAu／n4HSiCandNi／n一4H—SiCSchottkyUVphotodetecto

5、rswhichhavesuccessfullybeenfabricatedbyusisgivenTheresponsewavelengthrangeisfrom200hmto400hmForAu／n一4HsiC，atroomtemperaturewithoutanybiasedvoltage，theresponsepeakhasbeenfoundat310nmandthehalfwidthofresponsewavelengthis73

6、nm；atroomtemperaturewith7Vbiasedvoltage，themaximalspectrumresponsivityis8672mA／Wandthemaximalquantumefficiencyis3715％ForNi／n一4H—SiC，thecorrespondingparametersare300rim，83nm，4584mA／Wand1898％Thereversebreakdownvoltagesareb

7、othhigherthan200Vandtheleakagecurrentsarebothsmallerthan10～0ATheexperimentalresultsshowthatSiCSchottkyUVphotodetectorshavegoodUVresponsecharacteristicsandlowleakagecurrentsInaddition，wehavealsotakenapilotstudyonSiCMOSstr

8、uctureInChapterFive，theexpatiationofourstudiesaboutZnOUVphotoelectricdevicesandthemeasurementofn—ZnO／p—Siheterojunctiondeviceswhichhavesuccessfullybeenfabricatedbyusisgi、venTheultravioletresponsefrom200rimto400nmhasevide

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