肖特基二極管相關材料生長及器件研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該文以降低器件的串連電阻為目的,采用半導體薄膜材料作有源層.利用我們自行研制的超高真空化學氣相沉積(UHV-CVD)技術外延了亞微米級的Si薄膜,成功的制作了具有整流特性的高頻薄硅肖特基二極管的原型器件.此后又對用新型材料作SBD作了有益的嘗試,首次研制了ZnO薄膜肖特基二極管的原型器件,這標志著我們從半導體材料的生長向半導體器件的研制邁出了重要的一步.該文的具體工作可歸納為:1)薄硅外延片研制高頻肖特基二極管的原型器件.a)薄硅外延片

2、研制高頻肖特基二極管的原型器件.b)在薄硅外延片的生長基礎上,探索制作肖特基二極管的相關工藝,研制高頻SBD原型器件.2)ZnO薄膜肖特基二極管原型器件的研究.a)利用磁控濺射技術,首次在Si襯底上,以金屬Al做過渡層制備具有高C軸取向的ZnO晶體薄膜.b)探索適合ZnO肖特基二極管的制作工藝,選用Pt作肖特基電極研制肖特基二極管原型器件.c)在制作Pt/ZnO/Al SBD的基礎上,對ZnO SBD原型器件的結構與工藝進行改進,研制性

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