CdSe基異質結納米線的可控制備和振動性能研究.pdf

1、近年來，一維半導體異質結納米材料成為當今納米材料科學的研究熱點。一維半導體異質結可以“裁剪”一維同質納米線的性質，因此具有獨特的形貌結構和許多特殊的性質，在諸多領域具有潛在應用。本論文中研究基于CdSe的半導體異質結納米材料的可控制備和振動性能研究。主要內容包括:
　　 1、采用化學氣象沉積(CVD)方法，以CdSe和Ge粉末為原材料，通過控制Ge粉的量，使CdSe與Ge的摩爾比分別為1∶1，1∶2，1∶3和1∶4，在沉積區(qū)的不

2、同位置分別得到了四種產(chǎn)物，包括1）CdSe-Ge并軸異質結納米線與CdSe-Ge-CdSe三明治結構納米線;2)以CdSe-Ge并軸異質結納米線為核，多晶Ge為殼的電纜狀分等級異質結構納米線;3）Ge-GeSe并軸異質結納米線;4）GeSe納米帶。運用XRD、SEM、HRTEM、EDS和SAED分別對4個樣品進行了物相和微結構分析，發(fā)現(xiàn)CdSe-Ge并軸異質結納米線與CdSe-Ge-CdSe三明治結構納米線中的Ge和CdSe亞納米線為單

3、晶，GeSe-Ge并軸納米線中的GeSe和Ge亞納米線和GeSe納米帶為單晶。CdSe-Ge并軸納米線和GeSe-Ge并軸納米線中異質結的界面質量良好。CdSe-Ge-CdSe三明治結構納米線中兩側的CdSe亞納米線均存在高密度的層錯，TEM圖中顯示的兩側CdSe亞納米線的不同僅是由于觀測角度造成的。
　　 2、提出了CdSe-Ge并軸（CdSe-Ge-CdSe三明治結構）異質結納米線和GeSe-Ge并軸納米線可能的生長機理為基

4、于氣-液-固(VLS)的共生機理。以CdSe-Ge并軸異質結納米線為核，多晶Ge為殼的電纜狀分等級異質結構納米線是過量的Ge在CdSe-Ge并軸納米線上二次生長的結果。GeSe為CdSe和Ge在氣相中反應產(chǎn)生。氣相中的GeSe、CdSe和Ge三種化合物根據(jù)它們不同的氣化點沉積在了不同的區(qū)域，因此，在相應的區(qū)域分別得到了不同產(chǎn)物。
　　 3、用室溫拉曼譜研究了四種產(chǎn)物的振動特性。和相應體相材料相比，CdSe亞納米線的LO模，Ge亞

5、納米線的LO(TO)模和GeSe亞納米線（納米帶）的LO和TO模藍移或紅移。在CdSe-Ge并軸（三明治結構）納米線中CdSe的LO模藍移20cm-1，可能是由于CdSe-Ge-CdSe三明治結構納米線中CdSe亞納米線的高密度的層錯或者應力所造成的。在CdSe-Ge并軸（三明治結構）納米線、以CdSe-Ge并軸異質結納米線為核，多晶Ge為殼的電纜狀分等級異質結構納米線和GeSe-Ge并軸納米線中Ge的LO模式與體塊材料相比，分別紅移了