氧化鋅薄膜的PE-CVD制備及應(yīng)用.pdf

1、氧化鋅是近年來(lái)所研究的性能優(yōu)異、極具發(fā)展?jié)摿蛷V泛應(yīng)用前景的新型寬帶半導(dǎo)體材料。在太陽(yáng)能電池、表面聲波器件、壓電器件等諸多領(lǐng)域得到應(yīng)用。本文以Zn(CH3COO)2.2H2O(DEZ)為原料，利用PE-MOCVD制備了Cu基和玻璃基ZnO；同時(shí)對(duì)薄膜摻Al制備太陽(yáng)能電池透明導(dǎo)電膜AZO膜，并采用SEM，XRD，XPS，F(xiàn)TIR等表征薄膜相關(guān)特性。主要內(nèi)容和結(jié)論如下：
　　 ⑴介紹了ZnO薄膜特性、應(yīng)用概況和制備工藝；闡明課題背景

2、和意義；重點(diǎn)講述PE-MOCVD制備ZnO薄膜的工藝流程；
　　 ⑵探討了不同襯底、不同襯底溫度及退火對(duì)ZnO薄膜的性能影響。XPS結(jié)果表明：玻璃基ZnO薄膜在空氣中的穩(wěn)定性優(yōu)于Cu基ZnO薄膜，O2和H2O是影響其穩(wěn)定性的主要因素；XRD表明ZnO薄膜均為多晶結(jié)構(gòu)，400℃時(shí)其C軸擇優(yōu)取向最好；600℃空氣中退火有利于薄膜的優(yōu)化生長(zhǎng)；
　　 ⑶FSEM測(cè)量AZO薄膜斷面形貌知薄膜厚度為2μm,即具有66.7nm/min

3、的生長(zhǎng)速率；同時(shí)對(duì)薄膜的缺陷形核機(jī)制和生長(zhǎng)機(jī)制作了理論分析，并探討了AZO背電極對(duì)薄膜太陽(yáng)電池相關(guān)參數(shù)的實(shí)際影響；
　　 ⑷利用微波診斷系統(tǒng)得到日光燈中等離子體密度為1.5*1017m-3，該系統(tǒng)對(duì)于測(cè)量PE-CVD制備工藝的等離子體參數(shù)具有良好的可移植性。
　　 本課題制備ZnO主要著眼于其在薄膜太陽(yáng)電池背反射電極上的應(yīng)用，即提高太陽(yáng)電池效率同時(shí)保證其穩(wěn)定性；作為太陽(yáng)電池器件制備的重要組成部分；同時(shí)由于其在紫外激光器上