氧化鋅薄膜的熱蒸發(fā)制備及其發(fā)光性質(zhì).pdf

1、氧化鋅材料作為紫外發(fā)光器件，變阻器，高透明導(dǎo)電膜和表面聲波器件，壓電傳感器，氣體傳感器和顯示器以及太陽(yáng)能電池材料已經(jīng)受到越來(lái)越多的關(guān)注。氧化鋅室溫下的禁帶寬度為3.37eV，激子激活能為60meV，比GaN擁有更寬的禁帶寬度和更高的激子激活能，基于以上的優(yōu)點(diǎn)以及其它特點(diǎn)，氧化鋅將成為繼GaN以后的新一帶化合物半導(dǎo)體。氧化鋅薄膜的制備工藝有很多，但與其它工藝相比熱蒸發(fā)法工藝簡(jiǎn)單，易于操作，造價(jià)低廉，有利于工業(yè)生產(chǎn)。
　　論文中以純氧

2、化鋅為蒸發(fā)源料，通過(guò)熱蒸發(fā)法,在硅基片上生長(zhǎng)氧化鋅薄膜，通過(guò)工藝參數(shù)的調(diào)整確定制備的最佳工藝。并采用X射線衍射，拉曼光譜，掃描電鏡和陰極發(fā)光等方法對(duì)樣品進(jìn)行檢測(cè)。同時(shí)也討論了氧化鋅薄膜的生長(zhǎng)機(jī)理和發(fā)光性能。本論文的主要研究?jī)?nèi)容如下：
　　嘗試在1200℃到1400℃的范圍內(nèi)，以純氧化鋅為蒸發(fā)源，在硅基片上沉積氧化鋅薄膜，并用XRD，Raman等分析方法對(duì)其成分，結(jié)構(gòu)以及晶粒度進(jìn)行檢測(cè)，確定其最佳的生長(zhǎng)溫度。
　　在1200℃

3、到1400℃的范圍內(nèi)著重分析討論了不同的生長(zhǎng)條件，如基材溫度，爐內(nèi)氣氛，保溫時(shí)間等對(duì)制備氧化鋅薄膜的影響在加熱溫度為1380℃，保溫時(shí)間2.5小時(shí)，全程真空的條件下，距加熱中心20cm的位置制備的樣品上，我們通過(guò)SEM觀察到棒狀和帶狀的氧化鋅結(jié)構(gòu)，從CL發(fā)光譜中得到了紫外光和綠光的發(fā)光峰。在1380℃，保溫1小時(shí)，980℃左右開始抽真空的條件下，距加熱中心18cm處的樣品上，氧化鋅以棒狀結(jié)構(gòu)存在，有綠光的發(fā)光峰。而在22.5cm處的樣品