基于可調(diào)諧微吸收環(huán)的新型高速聚合物電光調(diào)制器的研究.pdf

1、本文的工作是在國家教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃“基于可調(diào)諧微吸收環(huán)的低損耗、低驅(qū)動(dòng)電壓、偏振不敏感的新型高速聚合物電光調(diào)制器研究”，(項(xiàng)目編號(hào)：NCET-05-0091)的支持下進(jìn)行的。圍繞微型環(huán)調(diào)制器的相關(guān)理論和驅(qū)動(dòng)電路作為主要研究?jī)?nèi)容，獲得以下研究結(jié)果： 首先，根據(jù)模式耦合理論對(duì)各類的波導(dǎo)間的模式耦合進(jìn)行了理論分析，推導(dǎo)出相應(yīng)的振幅耦合比、傳輸矩陣以及傳輸功率的相關(guān)表達(dá)式。 其次，比較了用于高速驅(qū)動(dòng)電路的三種器件ME

2、SFET(金屬-半導(dǎo)體勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、HEMT(高電子遷移率晶體管)和HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)。給出基于HBT的驅(qū)動(dòng)電路以及改進(jìn)型的HBT電路的相應(yīng)形式。結(jié)合相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)條件可以直接在微型環(huán)調(diào)制器上進(jìn)行電路加載實(shí)驗(yàn)。 然后，分析了用HBT設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)勢(shì)：電流驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，放大的級(jí)數(shù)減少，電路芯片面積??；HBT的開啟電壓基本是一個(gè)自然常數(shù)，均勻性好，這對(duì)數(shù)字電路的設(shè)計(jì)是極為有利的，尤其在這類調(diào)制器驅(qū)動(dòng)電路中，由于頻繁使用電平

3、移位電路，結(jié)開啟電壓的均勻性顯得尤為重要；HBT頻率特性主要由外延層結(jié)構(gòu)決定，對(duì)光刻水平要求低；HBT的開啟電壓由外延層決定，與工藝無關(guān)，偏差僅幾個(gè)毫伏；對(duì)驅(qū)動(dòng)電路來說，均勻的開啟電壓可以獲得匹配良好的發(fā)射極耦合邏輯，減小輸出失真；HBT具有更低的輸出電導(dǎo)，HBT、具有更高的跨導(dǎo)； HBT的功率密度高，線性度好；HBT的電流增益高、電流驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)；HBT的噪聲比MESFET和HEMT低。 最后，給出了HBT存在的主要問題：工藝比