靜電鍵合仿真軟件的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf

1、靜電鍵合技術(shù)已被廣泛地用于MEMS器件與微系統(tǒng)的制作中，其工藝過程仿真對(duì)MEMS及微系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)及新品開發(fā)等具有重要應(yīng)用價(jià)值。本論文在靜電鍵合模型研究的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了硅-玻璃靜電鍵合工藝過程的可視化仿真。
　　通過大量調(diào)研，遴選出靜電鍵合的三種典型電極模式：平板電極、單點(diǎn)電極和多點(diǎn)電極，對(duì)其建立工藝模型并進(jìn)行工藝過程的仿真。
　　介紹了三種典型電極模式下的靜電鍵合工藝建立物理及數(shù)學(xué)模型。靜電鍵合工藝技術(shù)模型主要內(nèi)容如下：單

2、點(diǎn)電極鍵合擴(kuò)展規(guī)律；鍵合時(shí)間模型，它包括平板電極、單點(diǎn)電極與多點(diǎn)電極三種鍵合方式下，鍵合時(shí)間與鍵合電壓及鍵合溫度之間的函數(shù)關(guān)系；鍵合電流隨時(shí)間變化規(guī)律。
　　根據(jù)理論及實(shí)驗(yàn)研究的結(jié)論，對(duì)靜電鍵合工藝過程進(jìn)行可視化仿真。系統(tǒng)采用面向?qū)ο蟮脑O(shè)計(jì)與編程方法，與工藝數(shù)據(jù)庫緊密結(jié)合。根據(jù)數(shù)學(xué)模型所確定的鍵合強(qiáng)度與時(shí)間的關(guān)系，分別對(duì)三種電極模式下的鍵合工藝過程進(jìn)行二維模擬。對(duì)平板電極，模擬其鍵合過程中耗盡層的推進(jìn)過程；對(duì)單點(diǎn)電極，模擬其完成鍵

3、合區(qū)域的半徑隨時(shí)間的擴(kuò)展過程；對(duì)多點(diǎn)電極，模擬幾種典型電極分布模式下，完成鍵合的區(qū)域隨時(shí)間的變化過程，并可在過程中觀察判斷電極分布是否合理。同時(shí)，根據(jù)反映鍵合電流隨時(shí)間變化規(guī)律的數(shù)學(xué)模型，對(duì)平板電極和單點(diǎn)電極鍵合過程中的電流特性進(jìn)行同步的曲線顯示。
　　在系統(tǒng)開發(fā)過程中，為了增加用戶與系統(tǒng)更好的交互，還為系統(tǒng)增加了一些人性化的輔助功能，完善系統(tǒng)的實(shí)用性。
　　本系統(tǒng)的特點(diǎn)是與實(shí)際工藝結(jié)合緊密，實(shí)用性強(qiáng)。經(jīng)反復(fù)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，對(duì)硅-