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文檔簡介
1、半導體工業(yè)的迅猛發(fā)展推動了低溫等離子體加工技術和加工工藝的不斷改進。為適應超細線寬介質的精確刻蝕,人們提出了雙射頻激發(fā)的容性耦合等離子體源,一方面,高頻電源激發(fā)產(chǎn)生高密度等離子體,另一方面,低頻電源通過施加在極板上的鞘層偏壓控制離子到達基片表面的能量,在合適的頻率組合下,可以實現(xiàn)離子通量和能量的解耦,也就是說,可以獨立控制等離子體密度和離子能量,雙頻耦合等離子體的這個特點拓寬了等離子體刻蝕工藝窗口,提高了雙頻耦合等離子體實現(xiàn)高保真介質的
2、刻蝕能力。
在本實驗中,我們使用兩種頻率組合(60MHz/2MHz,40.68MHz/13.56MHz)來激發(fā)產(chǎn)生容性耦合等離子體,通過改變源氣體流量比(R=[CHF3]/([CHF3]+[Ar]))、射頻源功率、自偏壓等條件進行了SiO2介質刻蝕的實驗研究。實驗結果顯示:相比于低頻率比的頻率組合,高頻率比的頻率組合激發(fā)產(chǎn)生的容性耦合等離子體更有利于頻率之間的解耦,有利于獨立控制離子通量和離子能量；由于離子在鞘層中的功耗下
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