功率IGBT的若干失效問(wèn)題研究.pdf

1、由于絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有工作頻率高、處理功率大和驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單這三大優(yōu)點(diǎn),所以在電力電子設(shè)備中、尤其是超音頻大中型功率的電力電子設(shè)備中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。但是,IGBT失效引發(fā)的設(shè)備故障往往會(huì)帶來(lái)巨大的人力、物力損失。因此,本文針對(duì)功率IGBT的若干失效問(wèn)題進(jìn)行研究。首先在對(duì)IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性進(jìn)行深入了解的基礎(chǔ)上,對(duì)IGBT的失效問(wèn)題進(jìn)行了理論分析,分別從IGBT的失效因素、失效模式、失效機(jī)理等幾個(gè)方面進(jìn)行了分析、總結(jié)與

2、探討。IGBT器件在實(shí)際使用中會(huì)經(jīng)受各種應(yīng)力沖擊,例如dv/dt、di/dt、C-E間電壓的變化、過(guò)流沖擊、短路脈沖電流沖擊、過(guò)熱沖擊等。其中熱損耗帶來(lái)的高結(jié)溫使得IGBT對(duì)外部應(yīng)力沖擊更為敏感,本文通過(guò)分析相關(guān)文獻(xiàn),在此基礎(chǔ)上針對(duì)“高溫柵偏壓和高溫反偏壓應(yīng)力沖擊對(duì)IGBT性能的影響”方面的問(wèn)題進(jìn)行了較為深入的研究。本文的最后就短路脈沖電流沖擊對(duì)IGBT性能的影響(即IGBT性能參數(shù)的退化)問(wèn)題,搭建實(shí)驗(yàn)電路進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。每進(jìn)行一段預(yù)