場截止溝道IGBT裂片的失效機理及改進方案.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、半導體的發(fā)明是人類在二十世紀最偉大的創(chuàng)舉，它不僅提高了生產(chǎn)效率和勞動效率，而且它悄無聲息地改變著人類的生活方式和生產(chǎn)，推動著產(chǎn)業(yè)的革新。
　　飛兆半導體場截止溝道IGBT是隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展和對IGBT更高的運用需求上應運而生，場截止溝道IGBT是公司第三代IGBT，其厚度為73μm，因此在芯片的貼裝的時候?qū)ζ淞哑目刂埔绕渌男酒獓栏竦亩唷?br>　　本論文首先對場截止溝道IGBT，UV膜進行介紹，然后通過封裝工藝制程中

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