導(dǎo)電聚合物薄膜的電化學(xué)制備與電極性能研究.pdf

1、隨著納米技術(shù)的發(fā)展，特別是具有納米纖維、納米管、納米棒狀等特殊納米/微米結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電聚合物的合成，對導(dǎo)電聚合物本身性能有很大程度的提高。本論文通過電化學(xué)的方法分別制備導(dǎo)電聚合物聚乙撐二氧噻吩(PEDOT)、聚吡咯(PPy)以及聚乙撐二氧噻吩/聚吡咯的復(fù)合薄膜，并研究其電極性能，得到在超級電容器電極材料方面具有良好應(yīng)用前景的導(dǎo)電聚合物復(fù)合薄膜。
　　 在KCl體系下，分別通過恒電流、恒電位、以及循環(huán)伏安的方法聚合PEDOT并表征其微

2、觀形貌和電化學(xué)性能，得到在KCl體系下制備具有較好電容性能的PEDOT薄膜的最優(yōu)化條件為：電解液pH為1(通過鹽酸調(diào)節(jié))，電解液中EDOT單體濃度為0.01 M，KCI濃度為0.05 M，電化學(xué)聚合電流密度為1 mA/cm2(或以2.5 V的恒定電位，或以0～1.5 V的循環(huán)伏安聚合掃描電位范圍)。
　　 在十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)體系下，分別通過恒電流、恒電位、以及循環(huán)伏安的方法聚合PEDOT。利用CTAB同時作為乳化

3、劑和電解質(zhì)，通過恒電流聚合，在電流密度為1～2 mA/cm2、CTAB濃度為0.005～0.01 M、電解液pH為1(通過鹽酸調(diào)節(jié))、電解液中EDOT單體濃度為0.01 M的條件下，得到具有定向生長納米棒狀結(jié)構(gòu)的PEDOT的聚合物薄膜，使得產(chǎn)物的循環(huán)伏安性能和電容性能都得到很大提高。
　　 通過恒電流法分別在CTAB和對甲苯磺酸鈉(PTSNa)體系下聚合PPy，利用PEDOT和PPy最優(yōu)條件聚合PEDOT/PPy復(fù)合薄膜，制備得