增強型與耗盡型集成VDMOS設(shè)計.pdf

1、近年來，功率集成電路得到了突飛猛進(jìn)的發(fā)展，集成度越來越高。作為最常見的高壓功率器件之一，VDMOS更多地集成在芯片里，而不僅僅以分立器件的形式出現(xiàn)。為了將高壓功率開關(guān)與高壓控制電路集成在一起，出現(xiàn)了增強型與耗盡型VDMOS的集成。論文設(shè)計的增強型與耗盡型集成VDMOS擊穿電壓BV為650V。 對于增強型與耗盡型集成VDMOS的設(shè)計，首先要解決工藝集成的問題，即如何在一套工藝下同時實現(xiàn)增強型VDMOS和耗盡型VDMOS，在參考了增

2、強型VDMOS的工藝流程并對耗盡管的結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析之后，確定了能同時形成增強管和耗盡管的工藝流程。通過理論公式初步計算出兩管的結(jié)構(gòu)參數(shù)，通過T-CAD軟件進(jìn)行模擬仿真，確定參數(shù)最優(yōu)值，最后通過對工藝偏差進(jìn)行仿真，改進(jìn)設(shè)計。為了避免增強管與耗盡管工作時互相干擾，論文設(shè)計了隔離結(jié)構(gòu)。 對流水生產(chǎn)的增強型與耗盡型集成VDMOS進(jìn)行封裝和測試。經(jīng)測試，增強管BV為693V，Vth為2．89V，導(dǎo)通電阻為5．3Ω；耗盡管BV為687V，Vt