基于納米BST薄膜的RF MEMS開關研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、上海交通大學博士后士學位論文基于納米BST薄膜的RFMEMS開關研究姓名：馬駿申請學位級別：博士后士專業(yè)：@指導教師：丁桂甫20050301L海交通大學博士后研究報告AbstractTechnologicaldevelopmemsofbothBariumStrontiumTitanate(BST)ferroelectricthinfilmsandmicrodectromechanicalsystems(MEMS)bringgreatpr

2、omiseforimprovingperformanceandreducingcostinmodernmicrowaveandcommunicationapplicationsRFMEMSswitcheshavemanyadvantagesovertraditionalpi—ndiodeandFETswitchessuchasexcellentmicrowavecharacteristic1ightweight，smallsize，lo

3、wpowerconsumptionandlowfabricationcostThisWOrkisaimedatdevelopingandoptimizingthepreparationtechnologyofnanometerBSTfilmsandreplacingtraditionalsiliconnitridedielectriclayerwithBSTthixnfilminRFMgMScapacitiveswitchesWrith

4、thehighdielectricconstantofBSTthinfilm，higherisolationisanticipatedBSTthinfilmshavethemeritsofhighdielectricconstantIOWleakagecurrentdensity，lowdielectricloss，andlowCurietemperature，etcOfparticulartechnologicalimportance

5、forBSTthinfilmsisthedependenceofdielectricpropertiesonstoichiometrymicrostructure，morphology，characteristicofelectrodeandprocessingtechnologyInthiswork，nanometerBSTfilmsarepreparedbyRFmagnetronsputterdepositionatroomtemp

6、eratureInconventionalparallelplateRFsputtersystem，backsputteringthegrowingfilmbynegativeoxygenionsCallleadtOoffstoichiometricfilmshavinginferiordielectricpropertiesandleakagecurrentTheprecisecompositionalcontrolandproces

7、singtechnologyofnanometerBSTfilmsareinvestigated，TheBSTthinfilmof90nmthicknessdepositedinargongasatroomtemperatureandannealedinoxygenat750℃for15minhasadielectricconstantof407andleakagecurrentdensityof106A／cm。undertheappl

8、iedelectricfieldof01MV／cmTheapplicationofnanometerBSTfilmsasdielectriclayerinsteadoftraditionalsiliconnitrideCallgreatlyimprovetheisolationperformanceofMEMScapacitiveshuntswitchesTwotypesofnovelbistableMEMSswitchesarepre

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