冗余金屬填充對電特性的影響研究.pdf

1、隨著現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路(VLSI)的不斷發(fā)展，互連線對時序的影響也越來越大。在SoC(片上系統(tǒng))設計中，對性能和功耗的要求也在不斷的增加。隨著半導體器件尺寸的不斷縮小，一些工藝過程也發(fā)生了相應的改變，例如光刻，CMP(化學機械研磨)等。在CMP過程中，金屬密度的不均勻?qū)е陆饘俸穸鹊钠鸱a(chǎn)生碟形，磨損。在進行多金屬層芯片的制造過程中，密度不均勻?qū)е碌牟黄教够瘜Φ谝?、第二金屬層的影響并不顯著，但由于不平坦化效應的疊加，在越來越高的金屬層

2、，就可能出現(xiàn)短路、斷路等不希望出現(xiàn)的結(jié)果，從而影響整個電路的運行。因此需要進行冗余金屬填充來調(diào)節(jié)金屬的密度，使其達到一致，以此來改善金屬表面的平坦性，但另一方面，冗余金屬的填充會增加互連電容，互連電阻，信號延遲以及功耗的增加等一系列問題。
　　 研究冗余金屬填充的目的就是為了降低這些寄生參數(shù)，使其對電路的性能影響最小，在實現(xiàn)平坦化的同時使電路的性能不受較大影響，從而可以進行多層金屬的制造，這樣可以大幅降低生產(chǎn)的成本，極大的提高芯