半導體中光激發(fā)強度相關的非線性區(qū)域響應的研究.pdf

1、復旦大學博士學位論文半導體中光激發(fā)強度相關的非線性區(qū)域響應的研究姓名：凌嚴申請學位級別：博士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導教師：陸昉20080520第四章為用光學手段測量飛秒激光激發(fā)的半導體中的激發(fā)強度相關的光致熒光的實驗結果。由于直接帶隙的緣故，利用光致熒光的方式研究了自組織(In／Ga)As量子點體系的樣品。討論了對量子點性能表現(xiàn)有很大影響的浸潤層的作用效果。并且和連續(xù)激光下的類似實驗進行了對比。通過分析得知：由于超高瞬值載流子濃度的原因，增

2、強了量子點體系中的載流子一載流子作用以及載流子一聲子作用。因而出現(xiàn)了明顯的局部熱效應以及載流子在量子點和浸潤層之間的填充和發(fā)射效果。通過分析熒光，可以看出共生浸潤層是各孤立量子點的連接通道。通過這個通道，各分離量子點可以連成一個整體，使得各量子點中的載流子可以輕易地相互轉(zhuǎn)移。隨著載流子濃度的增加，可以看到各分立量子點的分立能級過渡到了各量子點相互統(tǒng)一的準連續(xù)態(tài)，逐漸消除了量子點的尺寸分布效應。第五章為全文總結，對整個論文做一個全面總結。