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文檔簡介
1、電磁脈沖可以通過“前門”耦合和“后門”耦合兩種方式進(jìn)入目標(biāo)腔體內(nèi)對電子設(shè)備產(chǎn)生影響。“前門”耦合比較容易防護(hù),“后門”耦合對系統(tǒng)的影響幾乎不能完全消除,是對系統(tǒng)正常工作的最主要威脅??卓p耦合是電磁脈沖通過“后門”進(jìn)入目標(biāo)系統(tǒng)的主要途徑之一,是電磁脈沖應(yīng)用、電磁防護(hù)和電磁兼容研究的關(guān)鍵問題。
本文采用基于時域有限差分方法的模擬軟件CST為工具,通過建立模型,研究了電磁脈沖通過屏蔽體孔縫時的耦合效應(yīng)。具體情況如下:
2、 (1)對屏蔽體內(nèi)耦合場分布情況進(jìn)行研究,結(jié)果表明:孔縫中心軸線上的耦合場強(qiáng)遠(yuǎn)大于非中心軸線上的耦合場強(qiáng),且在孔縫非中心軸線上存在諧振信號。
(2)對單孔時孔縫形狀、孔縫面積、孔縫位置、孔縫縱橫比等對耦合特性的影響進(jìn)行了比較分析,結(jié)果表明:孔縫面積一定時,孔縫為正方形和圓形時耦合場強(qiáng)相對較小;孔縫的面積越大,耦合進(jìn)入腔體內(nèi)的場強(qiáng)也越大;孔縫在入射面中央產(chǎn)生的耦合場強(qiáng)大于孔縫在入射面邊沿時的耦合場強(qiáng);入射波極化方向與孔縫的
3、橫邊平行時,耦合場強(qiáng)隨縱橫比的增大而相應(yīng)增大。
(3)對多孔時孔縫數(shù)量、孔陣間距、孔陣排列方式對耦合特性的影響進(jìn)行了比較分析,結(jié)果表明:孔縫總面積一定的情況下,開孔數(shù)量越多,耦合場強(qiáng)越小;孔陣間距越大,耦合場強(qiáng)越小;孔陣錯排要優(yōu)于孔陣順排。
(4)對同體積不同形狀的屏蔽體開有相同孔縫時的耦合特性進(jìn)行比較分析,結(jié)果表明:正方體、圓柱體腔體內(nèi)的耦合場強(qiáng)小于長方體。
(5)綜合比較分析了核電磁脈沖(N
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