碳—硅復合納米管的制備工藝.pdf

1、碳納米管具有奇特的一維結(jié)構，因而呈現(xiàn)出許多獨特的物理化學性質(zhì)。但碳納米管一般呈現(xiàn)金屬導電性，雖然特定結(jié)構的碳納米管可以具有半導體電性，但其制備工藝難以控制。因此以碳納米管為模板對其進行各種形式的復合，從而得到具有各種新性質(zhì)的復合納米管，具有重要的研究價值。如在納米管表面生長一層半導體薄膜可以得到一維半導體結(jié)構，生長一層介電薄膜可以得到納米電纜結(jié)構，生長一層高儲鋰性能的薄膜可以極大地提高其作為鋰離子電池負極材料的儲鋰容量。本研究試圖通過熱

2、蒸發(fā)及固相反應從碳納米管獲得半導體的SiC納米管或者SiC/C復合納米結(jié)構。實驗內(nèi)容包括：
　　(1)確定溫度與壓力對Si-C復合納米管形成的影響規(guī)律。實驗表明隨著溫度的升高產(chǎn)物中SiC含量增加，隨著環(huán)境壓力的降低產(chǎn)物中SiC含量增加。實驗表明，SiC在蒸發(fā)溫度為1200℃時開始形成，在1300℃以上SiC的形成變得明顯。
　　(2) Raman及XRD測試表明，所獲得的Si-C復合納米結(jié)構中碳的含量依然占主導地位，表明所獲