3G移動(dòng)通信基站用高Q值微波介質(zhì)諧振器陶瓷研究.pdf

1、本研究結(jié)合當(dāng)前用于3G移動(dòng)通信基站的高Q值諧振器陶瓷的研究現(xiàn)狀，確定Ba(Co,Zn)1/3Nb2/3O3基陶瓷為研究對(duì)象，利用X 射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、拉曼光譜和網(wǎng)絡(luò)分析儀等儀器系統(tǒng)研究了配方、燒結(jié)工藝、微觀組織結(jié)構(gòu)和微波介電性能之間的關(guān)系。首先研究了Ba1-xZn1/3Nb2/3O3(x=0~0.02)陶瓷的燒結(jié)特性、相成分、離子有序度和微波介電性能。結(jié)果表明，適量的Ba 缺位不會(huì)改變Ba1-xZn1/3Nb2/3

2、O3 (x=0~0.02)陶瓷的相成分，但會(huì)顯著改善Ba1-xZn1/3Nb2/3O3 材料的燒結(jié)特性，使BZN 陶瓷的燒結(jié)溫度降低約100℃，同時(shí)可以提高陶瓷的陽(yáng)離子有序度和Q×f 值； x=0.01 時(shí)，Ba1-xZn1/3Nb2/3O3 (x=0.01)陶瓷具有最高的離子有序度，此時(shí)樣品在1450℃燒結(jié)具有較高Q×f 值66532GHz；在此基礎(chǔ)上，系統(tǒng)研究了Ba1-xZn1/3Nb2/3O3(x=0.01)陶瓷的預(yù)燒溫度和降溫速

3、率，并確定了獲得更高Q×f 值的工藝參數(shù)，它們分別為1100℃和5℃/h，此時(shí)的微波介電性能為：er=39.8，Q×f=77719GHz，tf=+24.5ppm/℃。在Ba 缺位的基礎(chǔ)上，研究了Ba0.99(Co1-xZnx)1/3Nb2/3O3 (x=0~0.8)陶瓷的燒結(jié)特性，相成分、晶粒生長(zhǎng)，陽(yáng)離子有序度和微波介電性能的變化規(guī)律。隨著x的增大，Ba0.99(Co1-xZnx)1/3Nb2/3O3 陶瓷更容易致密燒結(jié)，介電常數(shù)逐漸升

4、高，諧振頻率溫度系數(shù)向正方向偏移；二步燒結(jié)可以顯著提高陶瓷的密度和Q×f 值，Ba0.99(Co1-xZnx)1/3Nb2/3O3 (x=0.2)陶瓷在1490℃二步燒結(jié)可以獲得較高的密度和陽(yáng)離子有序度，此時(shí)陶瓷擁有優(yōu)異的微波介電性能：Q×f=79852GHz，er=33.1，tf=-2.6ppm/℃。對(duì)于Ba0.99(Co1-xZnx)1/3Nb2/3O3 體系陶瓷，當(dāng)x=0.3 時(shí)，在Ba0.99(Co0.7Zn0.3)1/3Nb2

5、/3O3陶瓷中摻入適量的CeO2 可以降低陶瓷的燒結(jié)溫度，促進(jìn)燒結(jié)，隨著CeO2 摻雜量的逐漸增大，陽(yáng)離子有序度先增大后減小，當(dāng)樣品在1500℃二步燒結(jié)，CeO2的摻雜量為0.25wt.％時(shí)，Ba0.99(Co0.7Zn0.3)1/3Nb2/3O3 陶瓷具有最高的離子有序度，此時(shí)陶瓷具有最優(yōu)異的微波介電性能：er=34.3，Q×f=89966GHz，tf=+4.7ppm/℃。在滿足化學(xué)計(jì)量比的Ba(Co0.7Zn0.3)1/3Nb2/3

6、O3 陶瓷中摻雜適量的CeO2 同樣可以有效促進(jìn)燒結(jié)，提高陶瓷的密度，且隨著CeO2 摻雜量的增大，陶瓷的陽(yáng)離子有序度先增大后減小，當(dāng)CeO2的摻雜量為0.4wt.％時(shí)，Ba(Co0.7Zn0.3)1/3Nb2/3O3 陶瓷具有最大的陽(yáng)離子有序度，此時(shí)陶瓷在1500℃下二步燒結(jié)具有最佳的微波介電性能：er=33.3，Q×f=100144GHz，tf=+4.8 ppm/℃。Ba(Co1-xZnx)1/3Nb2/3O3+0.4wt.％CeO