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1、808nm半導(dǎo)體激光器是以AlGahs晶體的(110) 自然解理面作為諧振腔。本論文采取在半導(dǎo)體激光器芯片的前端面鍍增透膜，并在半導(dǎo)體激光放大器的前、后兩個腔面鍍增透膜，以獲得高的閾值增益、降低閾值電流、提高量子效率和激光器的輸出功率。 采用吸收小，散射少的薄膜材料設(shè)計介質(zhì)膜，使得激光器前腔面的反射率顯著降低。鍍膜前，LD和SLA的各端面反射率大約為31.947％。為半導(dǎo)體激光器出射端面設(shè)計的增透膜為單層三氧化二鋁，可以將反射率
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