多層納米吸波涂層的阻抗匹配及優(yōu)化設(shè)計.pdf

1、隱身技術(shù)在當今軍事領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對各個國家的國防事業(yè)的發(fā)展都起到了重大的影響。研究和開發(fā)高性能的吸波材料己成為各國軍事技術(shù)領(lǐng)域中的一個重大課題。納米材料因其具有極好的吸波特性，業(yè)已成為當今吸波材料研發(fā)領(lǐng)域的熱點。 本文主要從分層介質(zhì)的基本理論出發(fā)，以吸波模型為依據(jù)，針對“薄、輕、寬、強”的優(yōu)化目標，應(yīng)用滿足廣義匹配規(guī)律的多層吸波材料的功率反射率公式，結(jié)合實際材料的數(shù)值計算，采用跟蹤算法以及頻點優(yōu)化法對所選取的納米吸波涂層材料進

2、行了相關(guān)電磁參數(shù)的阻抗匹配及對其優(yōu)化設(shè)計。 通過實驗對納米材料Fe<,3>O<,4>/SiC的復(fù)磁導(dǎo)率μ<,r>、復(fù)介電常數(shù)ε<,r>、磁損耗正切和電損耗正切在不同頻率范圍內(nèi)進行了測試，結(jié)果表明Fe<,3>O<,4>樣品在14GHz附近有較強的磁損耗，在12GHz和14.6GHz附近出現(xiàn)了較強的介電損耗，SiC樣品在10GHz和15GHz附近出現(xiàn)了較強的介電損耗。 通過對滿足一定條件的單、雙層吸波材料在頻率8～18GHz

3、范圍內(nèi)吸波效能的優(yōu)化設(shè)計仿真模擬，優(yōu)化曲線表征了Fe<,3>O<,4>的吸波效能主要表現(xiàn)在Ku-波段(12～18GHz)而SiC的吸波效能主要表現(xiàn)在X-波段(8～12GHz)，其中單層反射損耗最低達約-25dB，反射損耗低-10dB的帶寬接近5GHz,雙層反射損耗最低峰值約-53dB，反射損耗低于-10dB的頻帶寬度約為4GHz。 針對優(yōu)化結(jié)果結(jié)合實驗條件制備了相應(yīng)的單、雙層納米吸波涂層，并利用暗室對實驗涂層樣品進行了吸波效果測