準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)電子輸運(yùn)的梯度無(wú)序與結(jié)散射效應(yīng).pdf

1、準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)電子輸運(yùn)性質(zhì)是當(dāng)前凝聚態(tài)物理領(lǐng)域研究的熱門課題之一。它展示了許多獨(dú)特的物理特性,擁有廣闊的應(yīng)用前景。在納米材料的制備過(guò)程中,由于摻雜、空位以及吸附等原因,常常會(huì)引入無(wú)序。大量的理論及實(shí)驗(yàn)證明無(wú)序是影響納米體系電子輸運(yùn)性質(zhì)的重要因素。本論文發(fā)展了格林函數(shù)方法系統(tǒng)地研究了無(wú)序?qū)?zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)體系中電子輸運(yùn)的影響。其目的在于揭示這些體系中一些新的物理機(jī)制,為納米器件的設(shè)計(jì)及應(yīng)用提供理論依據(jù)。本論文主要包括以下幾部分:
　　

2、第一章是引言,簡(jiǎn)單介紹了準(zhǔn)一維納米材料以及無(wú)序體系的相關(guān)理論背景。第二章是研究的理論基礎(chǔ)以及格林函數(shù)方法的簡(jiǎn)要介紹。
　　第三章中,考慮實(shí)際體系的梯度無(wú)序和結(jié)散射,發(fā)展格林函數(shù)矩陣分解消元方法,研究了準(zhǔn)一維納米線的電子輸運(yùn)性質(zhì)。結(jié)果表明,由于結(jié)散射,電導(dǎo)隨能量呈現(xiàn)振蕩行為,無(wú)序的引入破壞了電子相干性,在低無(wú)序度區(qū)平均電導(dǎo)呈現(xiàn)異常增加,出現(xiàn)一個(gè)新的電導(dǎo)峰。當(dāng)表面存在無(wú)序但無(wú)梯度衰減時(shí),體系的平均電導(dǎo)隨無(wú)序度增強(qiáng)先減后增,出現(xiàn)類局域-

3、退局域性轉(zhuǎn)變。當(dāng)表面無(wú)序線性衰減時(shí),平均電導(dǎo)在強(qiáng)無(wú)序區(qū)稍有增加,而當(dāng)表面無(wú)序高斯型衰減時(shí),平均電導(dǎo)指數(shù)衰減,類局域-退局域性轉(zhuǎn)變消失,不同于以前的理論預(yù)言。
　　在第四章中,基于緊束縛理論,考慮了不同無(wú)序效應(yīng)以及結(jié)散射對(duì)鋸齒型石墨納米帶的電子輸運(yùn)性質(zhì)的影響。在計(jì)算過(guò)程中分別摸擬了高斯形式的長(zhǎng)程無(wú)序,以及邊緣無(wú)序兩種情況時(shí),無(wú)序?qū)w系電子輸運(yùn)性質(zhì)的影響。通過(guò)計(jì)算我們得到鋸齒型石墨納米帶的電子輸運(yùn)性質(zhì)與無(wú)序效應(yīng)以及結(jié)散射作用密切相關(guān)。