準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)取向控制生長的研究.pdf

1、取向生長是納米材料可控生長的一種極為重要的模式，本文以準(zhǔn)一維納米材料取向生長為導(dǎo)向，系統(tǒng)的研究了實現(xiàn)取向生長的控制方法，以便使人們能按照需要有針對性的合成納米結(jié)構(gòu)，研究屬于當(dāng)前納米材料制備科學(xué)的前沿，科學(xué)意義和使用價值都很重要，主要創(chuàng)新成果包括：
　　 ⑴基于氣相沉積的方法，探索合成單質(zhì)Cd納米線的技術(shù)路線，通過實驗設(shè)計引入硫作為生長調(diào)節(jié)劑，控制Cd納米結(jié)構(gòu)的生長取向，成功獲得金屬Cd納米片狀結(jié)構(gòu)；在此基礎(chǔ)上研究了所得產(chǎn)物在合成

2、相關(guān)化合物納米結(jié)構(gòu)上的應(yīng)用。
　　 ⑵在原料中加入適量錫粉作為生長調(diào)節(jié)劑，合成了一系列二元化合物ZnO納米結(jié)構(gòu)，著重研究了不同錫粉比例的條件下，ZnO納米結(jié)構(gòu)的取向生長和光學(xué)性能的規(guī)律性演化，很好地解釋了相應(yīng)的生長機(jī)理和發(fā)光機(jī)制，并輔以相關(guān)實驗，提出了實現(xiàn)二元化合物納米結(jié)構(gòu)取向控制生長的可行路線。
　　 ⑶研究了三元化合物Zn2SnO4八面體微米晶的合成條件和結(jié)構(gòu)特點；發(fā)展了兩步加熱法合成Zn2SnO4六方微米柱，研究了