SnO-,2--CuO-Sb-,2-O-,3-電極陶瓷的制備及其性能研究.pdf

1、密實(shí)SnO<,2>電極陶瓷材料具有良好導(dǎo)電性能和抗玻璃液侵蝕性能，是玻璃電熔技術(shù)的關(guān)鍵組成部分。論文以SnO<,2>、CuO、Sb<,2>O<,3>粉體為原料，采用無壓燒結(jié)技術(shù)制備含CuO與8b<,2>O<,3>復(fù)合添加劑的SnO<,2>基電極陶瓷材料，并系統(tǒng)研究其相關(guān)性能。 燒結(jié)致密化研究表明，CuO的最佳添加量為0.5～1.0mol％。當(dāng)CuO含量為0.5或1.0mol％，Sb<,2>O<,3>含量不宜超過CuO。SnO<,

2、2>-CuO-Sb<,2>O<,3>電極陶瓷的燒結(jié)致密化有兩種情況：一是當(dāng)Sb<,2>O<,3>含量少于CuO含量時(shí)，在晶界區(qū)域的CuO在高溫時(shí)產(chǎn)生富銅的液相起到粘結(jié)作用占主導(dǎo)地位，促進(jìn)SOnO<,2>基陶瓷燒結(jié)致密化；二是當(dāng)Sb<,2>O<,3>含量多于CuO含量時(shí)，與SnO<,2>發(fā)生固溶反應(yīng)占主導(dǎo)地位，抑制SnO<,2>基陶瓷燒結(jié)致密化。 電學(xué)性能測(cè)量結(jié)果表明，SnO<,2>-1.0mol％CuO-1.0mol％Sb<,2

3、>O<,3>電極陶瓷具有良好的綜合導(dǎo)電性能，其室溫溫電阻率為5.87×10<'-2>Ω·cm，700℃中溫電阻率為5.96×10<'-3>Ω·cm。當(dāng)SnO<,2>-CuO-Sb<,2>O<,3>。陶瓷材料未燒結(jié)致密時(shí)，增加CuO含量，增加載流子遷移率，進(jìn)而導(dǎo)致電阻率降低；當(dāng)SnO<,2>-CuO-Sb<,2>O<,3>陶瓷材料已燒結(jié)致密時(shí)，增加CuO含量增加晶界富Cu相的厚度，使得載流子遷移率下降，從而導(dǎo)致電阻率升高。 力學(xué)強(qiáng)

4、度測(cè)量結(jié)果表明，當(dāng)Sb<,2>O<,3>含量不超過CuO含量時(shí)，Sb<,2>O<,3>的加入增加了SnO<,2>-CuO-Sb<,2>O<,3>基電極陶瓷的抗彎強(qiáng)度，主要原因是與SnO<,2>發(fā)生的固溶反應(yīng)導(dǎo)致了晶粒的細(xì)化。SnO<,2>-0.5mol％CuO-0.25mol％Sb<,2>O<,3>電極陶瓷材料的抗彎強(qiáng)度達(dá)到最高值190MPa。 采用玻璃液侵蝕靜態(tài)測(cè)量方法測(cè)量SnO<,2>-CuO-Sb<,2>O<,3>基電極陶