MOSIC中高壓結構研究及其工程應用.pdf

1、論文首先介紹了課題的背景：課題來源于華潤矽科開展的VFD驅(qū)動及控制系列電路的設計，該類電路的特點及難點是采用CMOS技術實現(xiàn)了高、低壓兼容，即控制部分采用5V電源、驅(qū)動部分采用了35V的高壓驅(qū)動。在該類電路的研發(fā)過程中，先后基于1.5um、0.6um兩種工藝研制了50V的高壓PMOS IP，利用這種IP，開發(fā)了以CSl6312CEN為代表的VFD驅(qū)動及控制系列電路。同時也介紹了通過本課題的推進，本研究先后獲得國家重點新產(chǎn)品等榮譽，并先后

2、向國家知識產(chǎn)權局申請多項專利和布圖保護。 論文在引言部分還從顯示驅(qū)動技術類集成電路的市場需求入手，介紹了高低壓兼容類集成電路在我國廣闊的市場前景、巨大的市場容量，從而引入了在MOS集成電路中研究高壓結構的必要性和有力依據(jù)；同時，介紹了該課題的目標應用領域，即VFD顯示驅(qū)動系列電路在國內(nèi)外的發(fā)展現(xiàn)狀、及其發(fā)展趨勢；最后，說明本課題的研究內(nèi)容、創(chuàng)新點等。 在工作原理部分，本文首先介紹了常見的幾種高壓結構，并以橫向的漂移區(qū)結構

3、為例，重點說明了其耐壓原理、以及該結構的電特性參數(shù)；其次說明了高壓結構設計中要重點考慮的幾個重要參數(shù)和性能特點，即耐高壓參數(shù)、電阻特性、電流特性等。 在設計應用部分，本文分別介紹了常規(guī)低壓1.5um CMOS工藝、特殊高壓0.6um CMOS工藝下50V高壓PMOS管結構、以及工藝流程和IP測試結果；然后介紹了該50V高壓PMOS IP的工程應用實例，即CSl6312CEN的工作原理、指令分析、版圖設計、測試應用驗證結果等。同時