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文檔簡介
1、在CMOS數(shù)字電路器件中，最典型的基本單元門電路為反相器，它是CMOS數(shù)字電路分析設(shè)計的基礎(chǔ)，因此CMOS數(shù)字器件電路級微波擾亂效應(yīng)研究大多集中在CMOS反相器。為了更好地了解外界電磁干擾脈沖對反相器工作狀態(tài)的影響，本文以SN74AHC04級聯(lián)CMOS反相器作為研究對象，采用直接注入微波脈沖的方法對級聯(lián)CMOS反相器進行擾亂/翻轉(zhuǎn)效應(yīng)研究，本文的主要工作是進行了級聯(lián)CMOS反相器HPM效應(yīng)的模擬及實驗研究，通過模擬計算與實驗數(shù)據(jù)的對比總
2、結(jié)其中效應(yīng)規(guī)律。
本論文采用了一種CMOS反相器微波擾亂效應(yīng)電路模擬方法，重點研究注入微波脈沖功率、頻率、脈寬、脈沖前沿等參數(shù)以及反相器工作電壓對效應(yīng)結(jié)果的影響，同時也對級聯(lián)CMOS反相器高、低電平及上升沿與下降沿注入不同頻段、不同功率的微波擾亂脈沖進行了大量實驗研究。模擬結(jié)果與注入實驗數(shù)據(jù)比較吻合，表明文中采用的SPICE反相器模擬模型可以較好用于CMOS數(shù)字電路微波擾亂效應(yīng)研究。
模擬計算與實驗研究顯示，
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