非致冷紅外探測(cè)器用氧化釩薄膜工藝研究.pdf_第1頁(yè)
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1、該論文以高純五氧化二釩和高純金屬釩分別作為蒸發(fā)源和濺射靶材,采用真空蒸發(fā)法和反應(yīng)射頻磁控濺射方法制備了氧化釩薄膜.在實(shí)驗(yàn)中主要研究了基片溫度、Ar/O2比、真空熱處理等條件對(duì)氧化釩薄膜性能的影響.對(duì)于蒸發(fā)鍍膜,適當(dāng)提高基片溫度有利于形成結(jié)晶良好的薄膜,溫度較低時(shí)可能形成非晶態(tài)薄膜.通過(guò)對(duì)樣品熱處理前后XRD和XPS分析我們可以得到真空熱處理有利于MO2的形成.反應(yīng)射頻磁控濺射制備的薄膜樣品的電阻溫度曲線呈現(xiàn)遞減趨勢(shì),顯示出負(fù)的電阻溫度系

2、數(shù),具有良好的熱敏特性,認(rèn)為制備的較符合氧化釩薄膜電阻要求的樣品的電阻溫度系數(shù)在-2.3％/K左右;通過(guò)調(diào)整Ar/O<,2>比,薄膜的電阻變化較大,范圍在0.04657~4086KΩ,各樣品的成分變化也很大;對(duì)濺射制備的部分樣品進(jìn)行真空熱處理得到了下面的結(jié)論:在成份上,真空熱處理能夠促使V<,2>O<,5>還原向VO<,2>轉(zhuǎn)化;在電性能上,真空熱處理降低了薄膜電阻,提高了電阻溫度系數(shù);在微觀結(jié)構(gòu)上,真空熱處理使晶粒排列有序致密,缺陷消

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