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文檔簡介
1、稀土電子鋁箔中立方織構(gòu)的含量決定著電容器比電容的大小。稀土電子鋁箔的高立方織構(gòu)含量主要取決于鋁箔的制備工藝。本課題為得到高立方織構(gòu)含量的稀土鋁箔而就稀土鋁箔的制備工藝展開研究。 本研究在稀土Ce含量上分別采用最小和最大摻入量，取消中間退火工藝通過均勻化退火、熱軋、冷軋和再結(jié)晶退火，制成0.11mm厚的鋁箔。運用Axiovert25型金相顯微鏡和QUANTA400環(huán)境掃描電子顯微鏡所配備的丹麥HKL公司的CHANNEL-5 EBS
2、D系統(tǒng)，以及北科大的X衍射儀對軋制和再結(jié)晶退火后稀土鋁箔及高純鋁箔的組織、織構(gòu)進行了分析；并運用德國Leica顯微硬度儀分析了軋制和再結(jié)晶后的稀土鋁箔和高純鋁箔的硬度；通過研究不同稀土含量，不同變形率，不同退火溫度，不同退火時間對稀土鋁箔的組織、硬度和織構(gòu)的影響，從而制定出有利于增加稀土鋁箔立方織構(gòu)的工藝。 研究結(jié)果表明，稀土Ce含量在10～100ppm之間可以起到細化再結(jié)晶晶粒的作用，并提高再結(jié)晶退火后鋁箔的立方織構(gòu)占有率；高
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