p型ZnO薄膜制備與表征.pdf

1、本論文利用新型金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）系統(tǒng)在硅和藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)出了高質(zhì)量的ZnO薄膜，并對(duì)其摻雜特性作了詳細(xì)的研究，獲得了一定的結(jié)果。在國(guó)內(nèi)外首次使用N2O為氧化劑O2提供富氧環(huán)境，通過(guò)MOCVD系統(tǒng)在硅襯底上生長(zhǎng)出高質(zhì)量的ZnO薄膜。X射線光電子譜(XPS)、Hall測(cè)量、X射線衍射(XRD)和光致發(fā)光(PL)譜測(cè)量結(jié)果表明：在400℃下生長(zhǎng)的ZnO薄膜，具有高的化學(xué)配比和很好的光學(xué)性質(zhì)，但其結(jié)構(gòu)和電阻率沒(méi)有在高溫下(50

2、0℃)好。通過(guò)在不同N2O流量的摻雜試驗(yàn)，得到不同的結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)特性的ZnO薄膜，在N2O流量為70sccm得到最好的結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性，并且電阻率和載流子濃度分別為1.24×105O·cm和1.53×1013cm-3。對(duì)ZnO薄膜摻氮的研究結(jié)果表明，通過(guò)射頻等離子體離化，能有效的將氮摻入ZnO薄膜當(dāng)中。對(duì)摻氮的高阻ZnO薄膜的特性研究表明，氮摻雜基本上沒(méi)有改變ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)特性和發(fā)光特性。利用噴涂熱解方法在半絕緣的砷化鎵沉底上制備出