對(duì)TEM原理及應(yīng)用的研究.pdf

1、IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展到今天的階段，TEM已成為任何一個(gè)先進(jìn)的IC代工廠中不可或缺的研究、分析工具。尤其是當(dāng)制程逐步向深亞微米發(fā)展，沉積的薄膜越來越薄，影響器件性能的Defect越來越小時(shí)，對(duì)于分析工具解析度的要求也越來越高。TEM高解析度、高精確度的優(yōu)點(diǎn)，使得其在IC制程監(jiān)控、失效分析等方面的應(yīng)用愈發(fā)普遍和重要。
　　 本文主要針對(duì)TEM樣品制備過程中離子束對(duì)樣品的損傷所產(chǎn)生的最主要的影響--“非晶化”進(jìn)行研究。目前國(guó)內(nèi)尚未看到與此課題

2、相關(guān)的論文發(fā)表；在國(guó)外，已經(jīng)有過一些研究。本文將在總結(jié)這些成果的基礎(chǔ)上，務(wù)求得到一些新的突破：①直接觀察“非晶層”。②量測(cè)聚焦離子束制備的可供TEM分析的IC硅襯底樣品的極限厚度。
　　 經(jīng)過兩年多的努力，通過一系列完全由我們自主設(shè)計(jì)的嚴(yán)謹(jǐn)而又方便的實(shí)驗(yàn)，最后得到如下結(jié)果：
　　 ⑴30KV的離子束切割硅襯底的樣品，會(huì)在樣品側(cè)壁形成23nm的“非晶層”；10KV的離子束切割硅襯底的樣品，會(huì)在樣品側(cè)壁形成11nm的“非晶層