高速電路芯片和系統(tǒng)的分析設(shè)計(jì).pdf

1、 論文主要研究了應(yīng)用在光通信領(lǐng)域的CMOS低通濾波寬帶放大器和差分放大器的電路原理、結(jié)構(gòu)特性與設(shè)計(jì)方法。對(duì)于低通濾波寬帶放大器來(lái)說(shuō)，設(shè)計(jì)一個(gè)達(dá)到較好匹配的低通濾波網(wǎng)絡(luò)是其基礎(chǔ)。同時(shí)介紹了利用峰值并聯(lián)、反比例級(jí)聯(lián)等不同電路結(jié)構(gòu)來(lái)擴(kuò)展帶寬。提出了一個(gè)四級(jí)級(jí)聯(lián)低通濾波寬帶放大器電路。同時(shí)還對(duì)BSIM3V3模型在RF上的應(yīng)用做了研究分析，如其電路模型結(jié)構(gòu)，影響模型RF特性的幾個(gè)參數(shù)以及等效電路模型等。最后還對(duì)SMIC所提供的RF器件模型進(jìn)行了

2、仿真驗(yàn)證。最后文章還介紹了差分放大器的結(jié)構(gòu)與性能，如直流偏置、增益特性以及輸入輸出特性。對(duì)于本文所提出的兩級(jí)級(jí)聯(lián)差分放大器進(jìn)行了分析，得到仿真結(jié)果。 最后，文章結(jié)合低通濾波寬帶放大器與差分放大器的實(shí)際設(shè)計(jì)流程，介紹了深亞微米的CMOS工藝設(shè)計(jì)方法與環(huán)境，根據(jù)RF電路特性，對(duì)版圖提出了設(shè)計(jì)優(yōu)化要求。再結(jié)合前兩章理論分析的結(jié)論，在0.18μm CMOS工藝上，根據(jù)仿真電路給出了級(jí)聯(lián)低通濾波寬帶放大器、差分放大器以及單管驗(yàn)證電路版圖，并對(duì)