中頻反應磁控濺射制備二氧化硅薄膜的工藝研究.pdf

1、二氧化硅薄膜具有良好的絕緣性、穩(wěn)定性和機械特性，同時又是一種實用的低折射率材料，可以作為絕緣層、保護膜、鈍化膜或光學薄膜，廣泛應用于半導體、微波、光電子以及光學器件等領域。
　　目前制備二氧化硅薄膜的方法有脈沖激光沉積法、等離子體增強化學氣相沉積法、熱氧化法等,以上幾種鍍膜方法應用在光學薄膜領域都有各種缺點，難以克服。
　　中頻反應磁控濺射是一種目前很先進的物理沉積方法。其在大面積，高反射率光學薄膜領域有極大的優(yōu)勢，其制備的

2、大面積高反射膜是最有可能運用于大型光學鍍膜技術，但是目前中頻反應磁控濺射制備二氧化硅薄膜的工藝存在許多問題。薄膜反射率沒有達到工程性能要求，還沒有展開其薄膜的微納力學性能方面的研究。
　　本論文利用中頻反應磁控濺射裝備以及大量檢測設備，通過實驗進一步優(yōu)化了高反射率二氧化硅薄膜的工藝。驗證了中頻反應磁控濺射制備二氧化硅薄膜的均勻性，并根據實驗以及現實情況制定了中頻反應磁控濺射制備二氧化硅薄膜的工藝參數。在微納力學性能的研究方面，論文