GaN基光電子材料的制備與性能研究.pdf

1、蘭州大學(xué)博士學(xué)位論文GaN基光電子材料的制備與性能研究姓名：潘孝軍申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專(zhuān)業(yè)：物理學(xué)凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：謝二慶20080501能，發(fā)現(xiàn)aGaN薄膜套良好的場(chǎng)發(fā)射性能，低的開(kāi)啟場(chǎng)秘較大盼發(fā)射電流，F(xiàn)N曲線(xiàn)的非線(xiàn)性來(lái)源于低場(chǎng)下的熱電予發(fā)射和高場(chǎng)下的隧穿發(fā)射。3利用氨還原法在不同還原溫度下制備了GaN以及GaN：RE納米顆粒。利震XRD與TEM分褥了納米顆粒能結(jié)構(gòu)，對(duì)比分析發(fā)現(xiàn)稀摻雜以后，晶粒尺寸大幅度減??；Raman譜出現(xiàn)了兩個(gè)

2、被c芻空間群所限制的一階Raman散射：251與415cm一，前者源于表面缺陷和尺寸限制效應(yīng)，后者源于八面體GaN6結(jié)構(gòu)的振動(dòng)；光致發(fā)光結(jié)果表明剩用簡(jiǎn)單氨還原法獲褥了高結(jié)晶質(zhì)量的GaN納米顆粒，利用EDS與XPS分析了其化學(xué)成分，結(jié)果表明所有的目標(biāo)元素都出現(xiàn)了，N原子百分比略大于Ga的原子百分比且N不完全成鍵，這些結(jié)果從側(cè)面證實(shí)了GaN6的存在；室溫光致發(fā)光測(cè)量結(jié)果顯示GaN：RE都具有很靜靜發(fā)光性能，這些為其在電致發(fā)光工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用提