白光二極管用寬激發(fā)帶熒光體的微結(jié)構(gòu)和光譜研究.pdf

1、白光二極管(WLED)技術(shù)以其節(jié)能，環(huán)保和長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn)成為各國(guó)競(jìng)爭(zhēng)的高新技術(shù)之一。為了發(fā)展新一代功率型(瓦級(jí))、高亮度(>1001m)、高顯色指數(shù)(>80)白光?，F(xiàn)有的藍(lán)光激發(fā)下的摻鈰離子的釔鋁石榴石(YAG:Ce3+)熒光粉需要持續(xù)革新。其中采用紫外、近紫外或藍(lán)紫光激發(fā)下的寬激發(fā)帶硅酸鹽基質(zhì)白光發(fā)射的熒光體材料是一個(gè)重要的創(chuàng)新途徑。本文研究了一種藍(lán)光發(fā)射特性的新一代稀土硅酸鹽基質(zhì)白光熒光體，獲得如下創(chuàng)新結(jié)果： (1)采用一種多

2、組分的復(fù)合溶膠技術(shù)制得物相很純的硅酸鹽基質(zhì)熒光體。實(shí)測(cè)的激發(fā)光譜峰值的典型波長(zhǎng)在350-470nm的較寬范圍，取得了寬激發(fā)帶波長(zhǎng)范圍的積極研究結(jié)果。用波長(zhǎng)為470nm的藍(lán)光激發(fā)，發(fā)射波長(zhǎng)峰值為567.6nm(橙黃光)。 (2)獲得了正硅酸鹽體系堿土元素為基熒光體的微結(jié)構(gòu)和熒光光譜的關(guān)系。用Uiteret關(guān)系，得到Eu2+離子的5d激發(fā)帶邊位置(或5d-4f發(fā)射高能峰位置)與陽(yáng)離子配位數(shù)為6的對(duì)應(yīng)關(guān)系，獲得了SrxCa2-xSiO

3、4、SrxMg2-xSiO4和SrxBa2-xSiO4體熒光體的顆粒的XRD、形貌以及吸收、激發(fā)和發(fā)射光譜性質(zhì)。 (3)對(duì)復(fù)合溶膠的氣溶膠技術(shù)，重點(diǎn)考察了化學(xué)計(jì)量比、溶膠規(guī)律、燒結(jié)溫度等，獲得了一系列完整的基于微結(jié)構(gòu)-光譜的可控技術(shù)參數(shù)。 (4)熒光體顆粒為一種納米顆粒的自組裝集合體，疏松，平均粒徑在幾微米，不用球磨，從而避免了球磨對(duì)熒光體晶格的破壞導(dǎo)致的熒光體發(fā)光亮度大幅降低的問題。 (5)測(cè)試了熒光體的激發(fā)-