多酸及負載型多酸修飾電極的電化學性能及應用研究.pdf

1、雜多酸由于一系列有利于催化反應的特性在電催化和化學修飾電極的研究中引起了人們廣泛的重視。本文重點研究了雜多酸及金屬氧化物負載型雜多酸摻雜聚合物薄膜修飾電極的制備及其電化學和電催化性質。分述如下： 1．在含毗咯(Py)及SiW<,12>O<,40><'4->的0.5molL<'-1> H<,2>SO<,4>中，用電聚合的方法制備了聚吡咯摻雜硅鎢酸膜玻碳電極(PPy-Siw<,12>/GCE)，發(fā)現摻雜硅鎢酸后，該修飾電極對多巴胺(

2、DA)有良好的的電催化氧化作用。優(yōu)化了底液pH值，起始電位，富集時間等實驗條件。結果表明，在pH5.0的B-R緩沖溶液中，起始電位為-0.3V，富集時間為10s時，DA的氧化峰電流與其濃度的對數在4.2×10<'-6>～1.1×10<'-3>mol/L范圍內呈良好的線性關系，檢出限為3.2×10<'->6mol/L。用于鹽酸多巴胺注射液的測定，結果令人滿意。 2．用循環(huán)伏安法研究了金屬氧化物(TiO<,2>-MoO<,3>)負載

3、硅鎢酸鹽聚苯胺膜電極的制備及抗壞血酸在此修飾電極上的電化學行為。該修飾膜對抗壞血酸有良好的電催化氧化作用。用計時電流法及伏安法研究了抗壞血酸在此修飾電極上的電化學行為，計算出抗壞血酸在修飾電極膜內的表觀擴散系數為1.88×10<'-7>cm<'2>/s?？箟难釢舛仍?.0×10<'-5>～6.9×10<'-3>mol/L 范圍內成線性關系，相關系數為0.9961，檢出限為1.2×10<'-6>mol/L，可用于測定西紅柿，橙汁中的抗壞

4、血酸，結果令人滿意。 3．用循環(huán)伏安法制備了金屬氧化物(TiO<,2>-MoO<,3>)負載硅鎢酸鹽聚苯胺膜修飾玻碳電極(PAn/SiW<,12>/TiO<,2>-MoO<,3>/GC)，優(yōu)化了聚合條件，研究了修飾電極的電化學行為，該電極對NO<,2><'->有明顯的電催化還原作用，該電極具有良好的穩(wěn)定性及重現性，同時探討了NO<,2><'->在該電極上可能的的電極反應機理。 4．用循環(huán)伏安法制備了金屬氧化物(TiO<,

5、2>-WO<,3>)負載硅鎢酸鹽聚苯胺膜修飾玻碳電極(PAn/SiW<,12>/TiO<,2>-WO<,3>/GC)，優(yōu)化了聚合條件，并對該化學修飾電極的電化學行為，包括溶液pH值的影響和電極的穩(wěn)定性等進行了研究。結果表明，此修飾電極聚合物膜不但保持了該雜多酸的電化學活性和電催化性能，又具有良好的穩(wěn)定性和靈敏度。在0.5mol/LH<,2>So<,4>溶液中，該膜電極中的siE<,12>的第2個還原峰對BrO<,3>有很好電催化活性，催