碳納米管場發(fā)射性能研究.pdf

1、碳納米管是迄今為止最為優(yōu)異的場發(fā)射材料，因此引起了人們的極大興趣，進行了廣泛深入的研究。盡管在碳納米管陰極及其場發(fā)射方面已經取得了長足的進步，然而大量的基礎性工作還遠未完成。本文通過研究碳納米管薄膜的不同方法制備，探討了它們對場發(fā)射性能的影響。主要內容包括： 1.碳納米管與納米TiO2分散劑、銀導電劑、聚乙烯醇縮丁醛漿料復合成膜，于400℃處理后得到場發(fā)射陰極。場發(fā)射測定結果表明，該方法具有穩(wěn)定性好，場發(fā)射電流強度大等特點。通過

2、對碳納米管篩選后制得的場發(fā)射陰極，其開啟場強為0.45V/μm，閾值場強為0.72V/μm(1mA/cm2時為閾值場強)。 2.研究了脈沖激光沉積方法制備碳納米管場發(fā)射陰極薄膜，場發(fā)射測定結果表明，開啟場強為2.69V/μm，閾值場強為5.09V/μm。當電場強度為9.00V/μm時，最大電流密度可達到15.41mA/m2。這是一種新的方法，還未見文獻報道。 3.用脈沖激光刻蝕碳納米管場發(fā)射陰極薄膜，其相應的開啟場強為2