砷化鎵單片驅(qū)動功率放大器研究.pdf

1、隨著GaAs技術(shù)的不斷發(fā)展，單片技術(shù)已成為GaAs領(lǐng)域的主要發(fā)展方向。目前GaAs微波單片集成電路已成為有源固態(tài)相控陣?yán)走_(dá)T/R組件的關(guān)鍵電路。砷化鎵單片驅(qū)動功率放大器用于T/R組件中發(fā)射支路，作為后級功放的驅(qū)動級，起到提供較高增益和一定輸出功率的作用。 本課題研究了單片驅(qū)動功率放大器用GaAs有源器件MESFET和PHEMT的結(jié)構(gòu)、工作原理和模型分析，詳細(xì)闡述了PHEMT小信號模型提取的方法和過程，并最終得出本驅(qū)動放大器的小信

2、號模型。研究了無源元件的模型提取，描述了驅(qū)動功率放大器的拓?fù)溥x取、匹配技術(shù)，給出了優(yōu)化后的電路圖，并得到了滿意的仿真結(jié)果。 文中根據(jù)優(yōu)化后的電路生成了驅(qū)動功率放大器的版圖，采用了贗配高電子遷移率場效應(yīng)晶體管作為驅(qū)動放大器的有源器件，研究了隔離技術(shù)、源漏電極形成技術(shù)、柵電極形成技術(shù)、金屬剝離技術(shù)和空氣橋技術(shù)等關(guān)鍵工藝制作出驅(qū)動功率放大器，并對放大器進(jìn)行測試，對比分析仿真結(jié)果與測試結(jié)果的偏差及產(chǎn)生偏差的原因。研制出驅(qū)動功率放大器主要