X波段GaAs單片功率放大器研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文對微波單片集成電路（MMIC）進了簡要介紹。主要內容包括MMIC技術歷史及發(fā)展現(xiàn)狀，砷化鎵材料的物理特性，高電子遷移率晶體管的基本物理結構及工作原理，微波器件的建模及模型參數(shù)提取，MMIC工藝流程，微波晶體管功率放大器主要技術指標簡介等。
　　在此基礎之上，作者設計、流片、測試了一款工作頻率為8.5~12.5GHz的GaAs單片功率放大器。該功放在中國電子科技集團公司第十三研究所的GaAs功率pHEMT工藝線上進行流片，采用3

2、級共源級聯(lián)放大的電路拓撲；在+8V漏極電壓和-0.7V柵極電壓的直流偏置條件下，該單片可提供大于30dBm的P-1輸出功率，25dB的增益，大于28.3％的功率附加效率，輸入輸出駐波均小于1.9。
　　本功放以晶體管大信號模型的負載牽引仿真為設計切入點，結合功率放大器對增益、輸出功率、效率、線性度等指標的要求，根據(jù)負載牽引結果進行晶體管尺寸選擇、偏置點選擇及電路拓撲設計。為了實現(xiàn)較高的線性度，采用雙音負載牽引仿真的方法尋找功放輸出

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