β-BZN介質(zhì)陶瓷材料介電性能研究.pdf

1、Bi2（Zn1/3Nb2/3）2O7（β-BZN）是一種單斜焦綠石結(jié)構(gòu)的介電材料，具有較低的介電損耗，較高的介電常數(shù)等特點(diǎn)，而成為一種很有發(fā)展前途的低溫?zé)Y(jié)微波介質(zhì)材料，本文采用固相反應(yīng)法制備Bi2（Zn1/3Nb2/3）2O7陶瓷，研究A位、A、B位離子同時(shí)替代產(chǎn)生的氧空位對(duì)β-BZN陶瓷燒結(jié)溫度、相結(jié)構(gòu)及介電性能的影響，尤其是對(duì)介電弛豫現(xiàn)象的影響，從弛豫峰峰值溫度隨摻雜量變化而發(fā)生的移動(dòng)角度，為進(jìn)一步探討低溫弛豫機(jī)制提供實(shí)驗(yàn)依據(jù)。主

2、要結(jié)果如下： （1）采用固相反應(yīng)法制備Bi2-xLix（Zn1/3Nb2/3）2O7陶瓷，在替代量O

3、3Nb2/3-xMx）2O7 M=（zr、Sn、Ti），研究了半徑依次減小的（Zr4+、Sn4+、Ti4+）替代B位Nb5+離子對(duì)單斜相BZN的介電性能的影響。介電損耗出現(xiàn)明顯的弛豫現(xiàn)象，比較了介電弛豫溫區(qū)移動(dòng)的差異及分析了介電弛豫現(xiàn)象的不對(duì)稱(chēng)性。 （3）選?。╖r4+、sn4+）分別對(duì)β-BZN陶瓷B位Nb5+等量替代，Li+替代A位Bi3+對(duì)單斜相BZN的介電性能的影響。Li-Zr共替代陶瓷樣品的介電弛豫峰值溫度隨替代量的增

4、加向高溫方向移動(dòng)，Li-Sn共替代陶瓷樣品的介電弛豫峰值溫度分別為5、85、100℃和92℃。 （4）選取Li+對(duì)β-BZN陶瓷A位Bi3+等量替代，化合價(jià)依次增大的（Cu2+、Al3+、V5+、Mo6+）對(duì)B位Nb5+離子對(duì)單斜相BZN的介電性能的影響。Li-Cu、Li-V、Li-Mo共替代陶瓷樣品均出現(xiàn)明顯的弛豫現(xiàn)象。Li-V共替代陶瓷樣品中，晶格常數(shù)比（c/a）隨替代量的增加而逐漸減小，介電弛豫激活能減小致使其弛豫溫區(qū)向低