2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、VDMOS器件具有開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高和負(fù)溫度系數(shù)等一系列優(yōu)點(diǎn),是當(dāng)前半導(dǎo)體分立器件的高端產(chǎn)品,應(yīng)用范圍廣,市場(chǎng)需求大,發(fā)展前景好。目前國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)已經(jīng)被國(guó)外大公司所壟斷,大部分依賴進(jìn)口。因此國(guó)內(nèi)急需自主研發(fā)并量產(chǎn)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的相關(guān)產(chǎn)品,替代國(guó)外產(chǎn)品。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)具有高度競(jìng)爭(zhēng)性的行業(yè),新產(chǎn)品推向市場(chǎng)所需時(shí)間的長(zhǎng)短、開(kāi)發(fā)成本的高低是企業(yè)成敗與否的關(guān)鍵所在。因此,本文提出了600V系列VDMOS器件的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)方法。 本

2、文首先模擬了外延層參數(shù)和終端結(jié)構(gòu)對(duì)器件擊穿電壓的影響,元胞結(jié)構(gòu)與參數(shù)對(duì)導(dǎo)通電阻的影響;并在模擬過(guò)程中著重對(duì)VDMOS器件準(zhǔn)飽和效應(yīng)成因進(jìn)行了深入研究,分析了影響VDMOS器件最大輸出電流的因素,提出了一種有效地提高器件最大輸出電流的方法;針對(duì)VDMOS器件的非均勻摻雜的短溝道,分析了影響閾值電壓的因素,提出了閾值電壓的調(diào)節(jié)方法。然后,針對(duì)具體的VDMOS器件生產(chǎn)線,提出了600V系列VDMOS器件的版圖設(shè)計(jì)規(guī)則。最后,借助計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)了1

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