AlGaN-GaN MOS-HEMT器件特性研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩56頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、國內(nèi)外的研究報道表明，高性能AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)器件在大功率微波領(lǐng)域的應(yīng)用有較大的優(yōu)勢，然而從AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)器件誕生以來伴隨的界面缺陷、陷阱電荷以及較大的柵泄漏電流等問題嚴(yán)重制約了這種器件的應(yīng)用。因此，針對抑制柵泄漏電流和減少表面態(tài)的絕緣介質(zhì)鈍化工藝和金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)就成為研究的熱點。另外，GaN作為寬禁帶半導(dǎo)體材料有高溫應(yīng)用的優(yōu)勢，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)器件的溫度特性研究也至關(guān)重要。 本文采用原子

2、層淀積（ALD）實現(xiàn)了10nm Al2O3為柵介質(zhì)的高性能AlGaN/GaN金屬氧化物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管（MOS-HEMT）。通過對MOS-HEMT器件和傳統(tǒng)MES-HEMT器件室溫特性的對比，驗證了新型MOS-HEMT器件飽和電流和泄漏電流的優(yōu)勢。通過分析MOS-HEMT器件在30-180℃之間特性的變化規(guī)律，與國內(nèi)報道的傳統(tǒng)MES-HEMT器件隨溫度退化程度對比，發(fā)現(xiàn)了器件飽和電流和跨導(dǎo)的退化主要是由于輸運特性退化造成的。另外

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論