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文檔簡介
1、GaN是近年來迅速發(fā)展起來的第三代寬禁帶半導體材料之一，AlGaN/GaN HEMT在高溫、大功率、高頻、抗輻射等領域有著廣闊的應用前景。準確的器件建模對提高RF和微波電路設計的成功率、縮短電路研制周期是非常重要的。本論文建立了AlGaN/GaN HEMT器件的等效電路模型，并以建立的模型為基礎，設計了AlGaN/GaN HEMT微波功率合成電路。
首先，本文基于傳統(tǒng)HEMT小信號模型，提出了適合AlGaN/GaN HEMT的
2、小信號等效電路拓撲結構和精確的小信號模型參數提取方法。建立的小信號等效電路模型具有比較簡單、精確和寬帶(0-10GHz)等特性，為大信號分析提供必要的數據支持。
然后，從幾種常見的HEMT器件大信號直流I-V特性模型出發(fā)，針對GaN HEMT器件較為顯著的自熱效應，本文以Curtice立方大信號模型為基礎，通過修改其大信號等效電路拓撲結構，增加表征器件自熱效應的熱電路；并改進模型中I-V特性表達式，引入器件溫度對輸出特性的影響
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